专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]低介电和高耐热的芳烃树脂及其制备方法与应用-CN202211222792.8在审
  • 鲁在君;陈艳冰;张素娟;鲁军;康震 - 山东大学
  • 2022-10-08 - 2023-01-17 - C07D245/04
  • 本发明涉及低介电和高耐热的芳烃树脂及其制备方法与应用,首先使用对位含有大体积烷烃基团的苯酚、苯胺和甲醛为原料,通过Mannich反应合成含有大体积烷烃的苯并噁嗪单体,并通过加热催化得到二杯[3,3]芳烃。然后通过Williamson反应制备出含不饱和双键的二杯[3,3]芳烃。最后选择自由基引发剂使不饱和双键聚合得到芳烃树脂。本发明引入大体积烷烃提高了分子的自由体积,二杯[3,3]芳烃结构对称降低了分子极性,极性的酚羟基与含双键的苄氯充分反应后,进一步降低了分子极性,最后不饱和双键聚合提高了交联密度使耐热性提升。本发明合成的芳烃树脂具有低介电常数、低介电损耗和高耐热性的优势。
  • 低介电耐热氮杂杯芳烃树脂及其制备方法应用
  • [发明专利]印制电路板的无钯沉铜制备工艺-CN201710036102.2在审
  • 吴子坚;程静;林灿荣;张卫 - 广东成德电子科技股份有限公司
  • 2017-01-17 - 2017-05-17 - C23C18/40
  • 本发明公开印制电路板的无钯沉铜制备工艺,属于印刷电路板的制备领域,通过将双芳烃吡啶加到CuSO4溶液中,接着用电磁波进行激发,激发中将Cu2+离子从CuETDA络合物中解离,然后导入到双芳烃吡啶空穴中组装成Cu3+离子,组装好的Cu3+离子从双芳烃吡啶空穴中游离,溶液中余下的Cu2+离子在电波作用下,又源源不断地进入双芳烃吡啶中,在里边组装成Cu3+离子。本发明的无钯沉铜工艺少了活化和加速工序,从而减少了制程时间,本发明采用Cu3+为活化剂,代替昂贵的钯,降低了生产成本;采用具有生物活性的双芳烃吡啶超分子,可在沉铜过程反复使用,减少倒缸频率,减少废液处理费用
  • 印制电路板无钯沉铜制工艺
  • [发明专利]一种手性β-芳烃三级碳中心类化合物的合成方法-CN202111344463.6在审
  • 尹艳丽;江智勇 - 河南工业大学
  • 2021-11-15 - 2023-05-16 - C07D213/38
  • 本发明涉及一种手性β‑芳烃三级碳中心类化合物的合成方法,属于有机合成技术领域。在氩气气氛下,N‑芳基取代甘氨酸(Ⅰ)与(E)‑2‑芳基/烷基乙烯基芳烃(Ⅱ),在可见光催化剂二腈吡嗪衍生物DPZ和手性螺环膦酸催化剂CPA存在下,以磷酸二氢钠和蒽为添加剂,可见光照射下甲苯溶剂中室温反应,分离纯化得到手性β‑芳烃三级碳中心类化合物(Ⅲ)。在反应中借助非经典氢键的弱相互作用协助手性经典氢键作用的策略,使用无金属的DPZ光催化剂,催化剂用量极少,催化效率高,且反应条件温和,稳定高效,操作简单,环境友好,底物范围广泛(不仅芳基芳烃而且烷基芳烃
  • 一种手性芳烃三级中心化合物合成方法
  • [发明专利]一种含芳烃的硒类化合物及其合成工艺-CN202210314862.6在审
  • 金伟伟;刘晨江;王仁杰 - 新疆大学
  • 2022-03-28 - 2023-10-10 - C07D275/06
  • 本发明公开一种含芳烃的硒类化合物及其合成工艺,所述化合物的结构式如式(1)所示:#imgabs0#式(1)中,取代基R包括:氢、卤素、甲基、羧基、苯基中至少一种。所述含芳烃的硒类化合物的合成工艺为:在电化学条件下,以糖精、二苯基二硒醚、芳基烯烃类化合物为原料,反应生成所述含芳烃的硒类化合物。相对于传统的方法,本发明提出了一种高效、环保、易放大的含芳烃的硒类化合物的合成方法,其以糖精、二苯基二硒醚和芳基烯烃类化合物在电化学条件下,经烯烃的双官能团化反应而来,得到的含芳烃的硒类化合物的官能团兼容性好
  • 一种含氮杂芳烃化合物及其合成工艺

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